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- 編號(hào)：71559039
- 頻率：156.25MHz
- 尺寸：5.0×3.2mm
QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振
Q-Tech晶振,QT735有源晶振,QT735LWE10M-156.250MHz晶振,電壓3.3V微型石英晶體,LVDS輸出差分石英晶振,頻率156.25MHz,工作溫度-55~125°C,小體積晶振,高抗沖擊晶振,高可靠性晶振,低地球軌道應(yīng)用晶振,新空間應(yīng)用晶振,商業(yè)...
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QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振, Q-Tech晶振,QT735有源晶振,QT735LWE10M-156.250MHz晶振,電壓3.3V微型石英晶體,LVDS輸出差分石英晶振,頻率156.25MHz,工作溫度-55~125°C,5032mm貼片晶振,小體積晶振,高抗沖擊晶振,高可靠性晶振,低地球軌道應(yīng)用晶振,新空間應(yīng)用晶振,商業(yè)衛(wèi)星應(yīng)用晶振,6G基站晶振.
QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振 特點(diǎn)：
●ECCN: EAR99
●50kRad(Si)總劑量電離
●寬頻率范圍：1.000MHz至250MHz可用
●小尺寸,5.0×3.2mm表貼封裝
●CMOS,LVDS,LVPECL邏輯
●各種電源電壓，1.8Vdc至5.0Vdc
●寬工作溫度范圍-55°C至125°C
●三態(tài)輸出
●密封包裝
●基頻和第三泛音設(shè)計(jì)
●高抗沖擊和抗振動(dòng)
●根據(jù)MIL-PRF-55310，B級(jí)，使用PIND進(jìn)行篩選
●高抗沖擊，測(cè)試高達(dá)20，000克機(jī)械 沖擊，半正弦，0.3毫秒，所有軸
●無(wú)鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
●可選熱浸焊，Sn60Pb40
●注意：篩選和測(cè)試數(shù)據(jù)未序列化
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QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振參數(shù)表
| 項(xiàng)目 | 規(guī)格說(shuō)明 | 條件 |
| 額定頻率 | 156.25MHz | 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | 3.3V | |
| 儲(chǔ)存溫度 | -62℃~+125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | -55℃~ +125℃ | |
| 邏輯 | LVDS | |
| 頻率公差（標(biāo)準(zhǔn)） | ±100 ppm | +25℃,超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息 |
| 對(duì)稱性（占空比） | 45%~55% | 在輸出交叉點(diǎn) |
| 輸出邏輯高電平(Voh） | Voh < 1.6 V |
|
| 輸出邏輯低電平（Vol） | Vol > 0.9 V | |
| 負(fù)載 | 100Ω Differential | |
| 工作電源電流（無(wú)負(fù)載） | 60mA max. | |
| 上升下降時(shí)間 | 1000ps Max |
|
| 起始時(shí)間 | 10ms Max | |
| 老化 |
±15ppm max over 10 years
|
|
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QT735LWE10M-156.250MHz,LVDS差分石英晶振,6G基站晶振尺寸圖
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為您做到低成本,高效率.
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