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首頁晶振官方博客 亞陶生產的高品質XO振蕩器HX7011C0020.000000,廣泛用于戶外系統

亞陶生產的高品質XO振蕩器HX7011C0020.000000,廣泛用于戶外系統

來源:http://m.wftv100.com 作者:oiyu 2022年07月28

Diodes Incorporated作為臺灣最具有優秀的頻率元器件制造商,在制作有源晶振方面的工藝無人可超越,本著誠信的核心價值觀開展業務,承諾,和創新,我們鼓勵與提供服務的多元化企業合作優質的產品和服務,以及有競爭力的價格。我們對支持的承諾供應商多樣性有助于我們吸引廣泛的合格供應商來支持我們的業務需要并優化我們的整個價值鏈。亞陶生產的高品質XO振蕩器HX7011C0020.000000,廣泛用于戶外系統

HX21480001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 48MHz ±50ppm -40°C ~ 105°C
HX21480001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 48MHz ±50ppm -40°C ~ 105°C
HX21480001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 48MHz ±50ppm -40°C ~ 105°C
NX7031E0125.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX7031E0125.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX7031E0125.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 125MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
HX2127001Q Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 27MHz ±25ppm -40°C ~ 105°C
HX2127001Q Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 27MHz ±25ppm -40°C ~ 105°C
HX2127001Q Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 27MHz ±25ppm -40°C ~ 105°C
SHPCIE100 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SHPCIE100 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SHPCIE100 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SQPCIE100 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SQPCIE100 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SQPCIE100 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SN10GE156 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 156.25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SN10GE156 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 156.25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SN10GE156 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ ASSP XO™ 156.25MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SQA000001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ SQ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SQA000001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ SQ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
SQA000001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ SQ 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
Diodes公司是廣泛的分立、邏輯、模擬和混合信號半導體市場中高質量應用特定標準石英晶振產品的全球領先制造商和供應商,推出了AH1911 / AH1921數字霍爾效應傳感器,它結合了市場領先的穩定運行和釋放點(BOP 和 BRP),具有超低功耗運行。第 3 代器件將響應任一極性的磁場并使用“休眠時鐘”系統將 3V 電源下的平均電流消耗降低至 1.6µA。
NX53D3301Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 133.333333MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX53D3301Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 133.333333MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX53D3301Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 133.333333MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
JT2553P0016.369000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ JT 16.369MHz ±500ppb -40°C ~ 85°C
JT2553P0016.369000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ JT 16.369MHz ±500ppb -40°C ~ 85°C
JT2553P0016.369000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ JT 16.369MHz ±500ppb -40°C ~ 85°C
JT15260001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ JT 26MHz ±500ppb -30°C ~ 85°C
JT15260001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ JT 26MHz ±500ppb -30°C ~ 85°C
JT15260001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ JT 26MHz ±500ppb -30°C ~ 85°C
NX72F5506Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 155.52MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
NX72F5506Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 155.52MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
NX72F5506Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 155.52MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
NX72F6208Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 156.25MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
NX72F6208Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 156.25MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
NX72F6208Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 156.25MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
HX51706001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 70.656MHz ±50ppm -40°C ~ 105°C
HX51706001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 70.656MHz ±50ppm -40°C ~ 105°C
HX51706001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 70.656MHz ±50ppm -40°C ~ 105°C
HX7011C0020.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 20MHz ±25ppm -40°C ~ 105°C
HX7011C0020.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 20MHz ±25ppm -40°C ~ 105°C
HX7011C0020.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ HX 20MHz ±25ppm -40°C ~ 105°C
1.6V至5.5V的寬工作電壓范圍使該時鐘晶體振蕩器器件能夠與各種系統電壓一起使用。由于先進的穩定技術可實現精確和可重復的性能,磁性開關的操作和釋放點在溫度和電源電壓范圍內受到嚴格控制。通量密度切換點通常為 ±60 高斯 (6mT) 運行和 ±45 高斯 (4.5mT) 釋放。
PBF620074Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ PB 156.25MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
PBF620074Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ PB 156.25MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
PBF620074Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ PB 156.25MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
NX3241E0100.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX3241E0100.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX3241E0100.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 100MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
PXC500007 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ PX 125MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
PXC500007 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ PX 125MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
PXC500007 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ PX 125MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
NX73K0004Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 200MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX73K0004Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 200MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX73K0004Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 200MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX7021E0150.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 150MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX7021E0150.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 150MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX7021E0150.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 150MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX5041D0100.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 100MHz ±25ppm -40°C ~ 85°C
NX5041D0100.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 100MHz ±25ppm -40°C ~ 85°C
NX5041D0100.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 100MHz ±25ppm -40°C ~ 85°C
NX7021D0148.500000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 148.5MHz ±25ppm -40°C ~ 85°C
NX7021D0148.500000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 148.5MHz ±25ppm -40°C ~ 85°C
NX7021D0148.500000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 148.5MHz ±25ppm -40°C ~ 85°C
NX3221E0150.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 150MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
NX3221E0150.000000 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ NX 150MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
AH1911/21非常適用于電池供電設備,其低功耗和更寬的工作電壓范圍有助于延長電池壽命。典型應用包括醫療和消費產品、電子儀表的篡改檢測、煙霧探測器、物聯網設備和一般水平/接近檢測。亞陶生產的高品質XO振蕩器HX7011C0020.000000,廣泛用于戶外系統

亞陶晶振的AH1911和AH1921 采用行業標準的三引腳 SC59 封裝,分別具有推挽和開漏輸出。兩者均在-40°C至+85°C溫度范圍內指定,并具有 6kV(人體模型)的高 ESD 額定值。
“這些傳感器具有穩定的 BOP/BRP和超低功耗,以最佳的性價比提供市場領先的性能,”Diodes 公司全球傳感器營銷經理 Charles Kuo 說。
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